Hiện nay các thuật ngữ Light Harvesting Strings – LHS (Đường hàn không làm cản hấp thụ quang năng trên tấm pin), Halfcut (Cell pin quang điện được cắt làm đôi và ghép lại trên tấm pin) và Multi-busbar – MBB (Đa đường hàn trên tấm pin) liên tục xuất hiện trong cuộc thảo luận hiện tại về tấm pin mặt trời trên thế giới. Các công nghệ này hứa hẹn cho công suất cao hơn và hiệu suất cao hơn, Gigawatt sẽ giải thích rõ cho các bạn về 3 thuật ngữ trên như sau:
> Light Harvesting Strings – LHS (Đường hàn không làm cản hấp thụ quang năng trên tấm pin)
Đường hàn tiêu chuẩn thông thường trên tấm pin đôi khi sẽ chặn ánh sáng mặt trời do chúng che phủ các khu vực cell pin hấp thụ ánh sáng. Với việc sử dụng công nghệ LHS các đường hàn theo cấu trúc hình ống hoặc tam giác sẽ dẫn đến hiệu ứng phản chiếu ánh sáng như hình ảnh mô tả bên dưới và nó sẽ giúp tăng lượng ánh sáng chiếu tới các cell pin.
Với cách thức như vậy thì trên lí thuyết công nghệ LHS có thể giúp lấy lại tới 80% ánh sáng mặt trời bị chặn và tăng hiệu quả hấp thụ của tấm pin cao hơn 3% so với các tấm pin bình thường (có thể thay đổi tùy thuộc vào cấu hình tấm pin và cell pin). Nhìn chung công nghệ LHS sẽ giúp cải thiện các vấn đề:
- Cản ánh sáng do các đường hàn trên tấm pin.
- Tăng ánh sáng hấp thụ cho các cell pin.
- Giảm nội trở tấm pin.
- Tăng hiệu suất tấm pin mà không tăng diện tích.
> Halfcut (Cell pin quang điện được cắt làm đôi và ghép lại trên tấm pin)
Cắt đôi cell pin ở đây có thể giải thích như sau: tấm pin năng lượng mặt trời sẽ được chia thành 120 (hoặc 144) cell nhỏ thay vì 60 (hoặc 72) cell như các tấm pin bình thường. Cell của tấm pin thông thường được mắc nối tiếp lại với nhau và theo nguyên lý này nếu một cell bị che bóng sẽ khiến các cả tấm pin bị suy giảm công suất, do đó nếu chia nhỏ các cell mắc nối tiếp thành 3 dãy và sử dụng 3 diode để tách dãy cell bị che bóng thì các dãy còn lại sẽ không bị ảnh hưởng và nếu một cell bị che bóng thì công suất của tấm pin chỉ bị giảm đi 1/3.
Nhưng với tấm pin Haflcut cell, vì các cell đươc cắt đôi ra nên tổng số cell sẽ lên đến 120 (hoặc 144) cell và khi kết nối các cell lại chúng sẽ được chia làm 6 dãy, thế nên 1 cell che bóng chỉ gây suy giảm công suất của 1/6 tấm pin mà thôi . Kích thước cell giảm đi phân nửa làm giảm đi đáng kể sự ảnh hưởng của việc che bóng bởi các yếu tố bất khả kháng như lá cây, bóng râm,… ngoài ra công nghệ Halfcut còn là một cách hiệu quả để giảm tổn thất điện trở trên pin mặt trời. Có thể đưa ra ví dụ về tấm pin HT-SAAE MONO HALFCUT CELL PERC 400Wp và HT-SAAE POLY HALFCUT CELL PERC 340Wp của hãng HT-SAAE với công nghệ Halfcut cell mà Gigawatt đang cung cấp sẽ có những tính năng như sau:
- Giảm nội trở = giảm tổn thất điện năng
- Tăng sản lượng điện thu về trên cùng một diện tích lắp đặt.
- Tăng công suất tấm pin từ 1.5 đến 2.5% (tùy theo công nghệ cell và số lượng cell trên tấm pin)
- Giảm dòng điện trên mỗi chuỗi cell nối tiếp và giảm nhiệt độ hoạt động của tấm pin.
- Giảm suy hao hiệu suất bởi bóng che.
> Multi-busbar – MBB (Đa đường hàn trên tấm pin)
Có nghĩa là pin mặt trời được trang bị 9, 12 hoặc 16 đường hàn thay vì 4, 5. Các đường hàn có chức năng dẫn điện từ các cell pin về juntion box (hộp kết nối), nhưng khi gặp bóng che sẽ gây ra hiện tượng tắc nghẽn đường truyền gây ra hiện tượng hotspot (điểm nóng) và giảm công suất trên tấm pin.
Với việc trang bị thêm nhiều đường hàn hơn, sẽ giúp hạn chế việc giảm công suất trên các tấm pin do ảnh hưởng của bóng che và tăng công suất hoạt động đáng kể cho tấm pin mặt trời.
- Tăng hiệu suất hoạt động của tấm pin.
- Tăng tổng tiết diện dẫn điện của burstbar trên tấm pin.
- Thiết kế dây hàn phản xạ cao giúp tăng khả năng hấp thụ quang năng.
- Tăng độ bền tấm pin và hạn chế được hiện tượng nứt (micro crack) cell pin.
Lợi ích cho người cài đặt và chủ sở hữu hệ thống điện mặt trời
Sản lượng điện cao hơn của tấm pin mặt trời phụ thuộc rất nhiều vào các cell pin chính vì vậy việc áp dụng các công nghệ mới vào các cell pin sẽ giúp cải thiện sản lượng điện được sản xuất bởi hệ thống. Do đó, các công nghệ như LHS, Halfcut hoặc MBB trên cell pin sẽ góp phần giảm chi phí đầu tư đồng thời cải thiện hiệu suất hệ thống điện mặt trời. Hiện nay chi phí để sở hữu các tấm pin áp dụng các công nghệ mới không quá chênh lệnh so với các tấm pin truyền thống. Điều này sẽ giúp các tấm pin công nghệ mới trở thành một lựa chọn tốt cho tất cả những ai muốn thu hồi vốn nhanh hơn và hiệu suất hệ thống cao nhất có thể khi đầu tư vào hệ thống điện mặt trời.
Hiện nay tấm pin công nghệ Half-cut của hãng HT-SAAE sẽ được Gigawatt nhập về và phân phối với 2 loại tấm pin: HT-SAAE MONO HALFCUT CELL PERC 400Wp và HT-SAAE POLY HALFCUT CELL PERC 340Wp với chất lượng cao, dịch vụ bảo hành lâu dài được bảo đảm bởi nhà sản xuất với hơn 40 năm kinh nghiệm HT-SAAE.
